碳化硅中陰陽離子的測定

碳化硅（SiC）又名金剛砂，是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。目前中國工業(yè)生產(chǎn)的碳化硅分為黑色碳化硅和綠色碳化硅兩種，均為六方晶體。碳化硅有化學(xué)性能穩(wěn)定、導(dǎo)熱系數(shù)高、熱膨脹系數(shù)小、耐磨性能好等特點，高純度碳化硅可制造半導(dǎo)體和碳化硅纖維。碳化硅中的雜質(zhì)陰陽離子會對其性能產(chǎn)生影響，需要進(jìn)行檢測以提高純化技術(shù)。

色譜條件

（1）常規(guī)陰離子

分析柱：SH-G-1+SH-AC-11

流動相：10 mM KOH（EG）

流速：1.0 mL/min

柱溫：45℃

抑制器：SHY-A-6

進(jìn)樣體積：25 μL

前處理：樣品稀釋適當(dāng)倍數(shù)過 0.22 μm 一次性針頭過濾器和銀-鈉柱進(jìn)樣分析。

碳化硅提取液中陰離子譜圖

（2）陽離子

分析柱：SH-G-1+SH-CC-3L

流動相：5.5 mM 甲烷磺酸

流速：1.0 mL/min

柱溫：35℃

抑制器：SHY-C-3

進(jìn)樣體積：25 μL

前處理：樣品稀釋適當(dāng)倍數(shù)過 0.22 μm 一次性針頭過濾器進(jìn)樣分析。

碳化硅提取液中陽離子譜圖